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晶圆翘曲应力测量仪 Stress Mapper
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晶圆翘曲应力测量仪 Stress Mapper

具备三维翘曲(平整度)及薄膜应力的检测功能,适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产,尤其具有测量整面翘曲曲率分布的能力
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产品编号
SM系列
数量
-
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1
产品描述

优势

1. 全口径均匀采样测量,采样间隔最少可至0.1mm

2. 同时具备翘曲测量及应力测量功能

3. 直观展现薄膜导致的晶圆形变,可计算整面应力mapping和任意角度的曲率及应力

4. 强大的附加模块:薄膜应力变温测量模块(室温到500℃)

5. 丰富的软件分析功能,包括:三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计(BOW,WARP等)、ROI分析、薄膜应力及分布、应力随时间变化、薄膜应力变温测量、曲率计算、多项式拟合、空间滤波等多种后处理算法。

 

适用对象

2 英寸- 8 英寸/12 英寸抛光晶圆(硅、砷化镓、碳化硅等)、图形化晶圆、键合晶圆、封装晶圆等;液晶基板玻璃;各类薄膜工艺处理的表面

 

适用领域

✔️ 半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查

✔️ 半导体薄膜工艺的研究与开发

✔️ 半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析

 

测量原理

1. 晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜,基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲,翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响

2. 采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布,通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布,具有非接触、免机械扫描和高采样率特点,6英寸晶圆全口径测量时间低于30s

3. 通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布

 

实测案例

 

 

 

 

Stress Mapper技术规格

测量对象

2英寸-8英寸/12英寸 抛光/图形晶圆

采样间隔

均匀全口径采样,最小采样间隔0.1mm

测量时间

单次测量时间 <30s (6英寸晶圆全口径)

三维翘曲

翘曲测量范围

0.5μm-5000μm *

重复性

0.2μm或1%

精度

0.5μm或1.5%

薄膜应力

应力测量范围

1.5MPa-10000MPa
曲率测量范围 0.5μm-5000μm

重复性

1.5MPa或1%

精度

2.5%

选配模块:薄膜应力变温测量模块(室温至500℃)

工作软件

Stress Mapper 软件:采图、测量控制及计算分析

软件功能

三维翘曲显示、晶圆翘曲参数统计(BOW,WARP等)、薄膜应力及分布、时变稳定性分析、高低温应力测量、多种拟合算法、空间滤波算法等

 

澳门新葡萄新京6663晶圆翘曲应力测量仪将全口径翘曲、应力、表面瑕疵等分析整合进入每一次测量,确保我们的客户能够快速确认工艺。

 

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澳门新葡萄新京6663产品涵盖自由曲面三维面型检测仪、内应力测量仪、晶圆薄膜应力测量仪、三维测量显微镜、镜面外观缺陷检测仪以及精密光学镜头等,广泛应用于高端精密光学制造、半导体晶圆、智能汽车电子系统、智能终端显示、AR/VR产品等制造生产线,相关技术处于国内领先水平,并已形成批量生产能力。 

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